Новые модули памяти T-Force и T-Create доступны к покупке уже с мая этого года. По данным пресс-службы ЛЭТИ, ее можно использовать для конструирования оперативной памяти оптических вычислительных устройств. Недавно о начале запуска массового потребления модулей памяти LPDDR5 заявила также Samsung. Micron показала огромные модули памяти MCRDIMM DDR5-8800 объёмом 256 Гбайт. Это высокопроизводительный и энергоэффективный модуль памяти типа DDR4 SDRAM для ответственных высокоскоростных применений.
Начато производство «первой в мире» сверхскоростной памяти DDR5
Как рассказали представители компании Samsung в недавно вышедшем официальном пресс-релизе, это самая современная память с максимально высокой плотностью хранения. Память производится с использованием фотолитографического оборудования. Благодаря EUV-литографии создаются 5 слоев микросхем, что на сегодняшний день является самым высоким уровнем фотолитографии в глубоком ультрафиолете при производстве памяти. В планах компании — выпускать новые модули памяти для использования в суперкомпьютерах, ЦОДах и серверных системах, которые поддерживают стандарт DDR5. Также планируется, что современная энергоэкономичная память будет востребована в работе с большими данными и в вычислениях, которые связаны с машинным обучением и искусственным интеллектом.
Этот новый энергонезависимый, твердотельный тип памяти когда-нибудь сможет заменить флеш-память типа NAND, которая на сегодняшний день имеет размер ячейки 20 нм. Один кристалл такой памяти содержит 256 Racetrack ячеек. В лаборатории IBM успешно протестировали возможности записи и чтения. При этом ставилось требование достижения скорости ввода-вывода данных, сравнимой со скоростью современных DRAM. Почти все электронное оборудование сегодня производится с использованием цифровых схем, изготовленных по КМОП технологии.
Помимо смартфонов, последняя версия DRAM компании также будет иметь приложения для высокоскоростной передачи данных, включая 5G, искусственный интеллект AI и метавселенную. Санджун Хван, старший вице-президент и руководитель группы разработчиков DRAM Samsung, заявил: «В последние годы сегменты рынка с гиперподключениями, такие как искусственный интеллект, дополненная реальность AR и метавселенная, которые полагаются на чрезвычайно быструю крупномасштабную обработку данных, быстро расширяется». Источник — Astera.
По сравнению с предыдущими разработками, новинка отличается значительно большей производительностью, в основном за счет использования трехмерной технологии формирования многоуровневой структуры чипа TSV Through-silicon via. Технология TSV подразумевает использование в кремниевой плате вертикальных микронных отверстий с медной заливкой. Это значительно повышает скорость передачи данных.
Samsung выпустила первый в отрасли модуль памяти LPDDR5X объёмом 16 ГБ
| Samsung выпустила первый в отрасли модуль памяти LPDDR5X объёмом 16 ГБ | В рамках мероприятия Intel Memory and Storage Day крупнейший чипмейкер планеты показал рабочую станцию на основе процессора Xeon Cascade Lake и фирменной памяти Optane DC. |
| Компания Crucial представила модули памяти DDR5 для ноутбуков и настольных компьютеров | Его модули на 57% тоньше, но вмещать он может только до 128 Гб памяти DDR5-4800. |
Samsung представила 32-Гбит чипы DDR5 — они позволят выпускать модули DDR5 объёмом 64 Гбайт
Возникло настораживающее впечатление, что она воспринимает российский финансовый институт и его индустриального партнера ГАЗ чуть ли не как панацею от всех бед немецкого автопроизводителя. Ангела Меркель сильно рискует и в истории с верфями Wadan. Около года назад их купили два инвестора из Москвы, которые ссылались на связи в российских верхах и обещали огромные газпромовские заказы на плавучую технику. Обещания оказались абсолютно пустыми.
Точные данные о скорости передачи данных не раскрываются, но, учитывая опыт компании , можно ожидать, что она нас не разочарует. Хотя «дорожная карта» компании Micron описывает возможности создания нишевых продуктов памяти, таких как планки емкостью 512 ГБ и 1 ТБ, они, скорее всего, будут ориентированы на конкретных заказчиков.
Это так называемая «небинарная» память. При этом за «ненужные» гигабайты всё равно придётся заплатить. Сокращение числа активных каналов с 12 до 10 может оказаться неприемлемым, как, впрочем, и использование 2DPC в случае Genoa этого режима пока всё равно нет. А вот модули ёмкостью 48 Гбайт для такой системы окажутся идеальными: не придётся переплачивать за лишнюю память или терять в производительности при сокращении числа активных каналов.
Но Micron, судя по всему, эту проблему решила. Кроме того, FeRAM не боится радиации, экстремальных температур, магнитного воздействия и способно хранить данные 10 лет. Ранее FeRAM использовалась в космической отрасли, но если Micron сумеет наладить массовое производство модулей большого объема, есть шанс полноценной революции в индустрии.
ADATA показала модули памяти CAMM, CXL и MR-DIMM
Плата расширения с 512 ГБ оперативной памяти, имеющей пропускную способность до 1,1 ТБ/с, призвана существенно повысить производительность. Его модули на 57% тоньше, но вмещать он может только до 128 Гб памяти DDR5-4800. Южнокорейский технологический гигант представил свою последнюю DRAM LPDDR5X ранее сегодня, и это первый модуль памяти в отрасли, основанный на 14-нм техпроцессе. Рынок памяти DRAM всколыхнула новость из Китая. Компания Xi'an UnilC Semiconductors создала свой первый модуль памяти DDR4, который на 100% произведен в Китае.
Компания Crucial представила модули памяти DDR5 для ноутбуков и настольных компьютеров
Рынок памяти DRAM всколыхнула новость из Китая. Компания Xi'an UnilC Semiconductors создала свой первый модуль памяти DDR4, который на 100% произведен в Китае. На этой неделе компания Micron продемонстрировала массивные модули памяти MCR DIMM объемом 256 ГБ на конференции GPU Technology Conference (GTC), организованной Nvidia. Micron разработала модуль неубиваемой энергонезависимой памяти FeRAM объемом 32 Гбит. Размер рынка энергонезависимых модулей с двойной встроенной памятью (NVDIMM) будет регистрировать прибыль с 2023 по 2032 год из-за растущей зависимости от цифровых. Сегодня, 25 марта 2021 года, южнокорейский технологический гигант в лице компании Samsung представил наконец свою новую разработку — модули своей оперативной памяти нового. Недавно о начале запуска массового потребления модулей памяти LPDDR5 заявила также Samsung.
Samsung представила 32-Гбит чипы DDR5 — они позволят выпускать модули DDR5 объёмом 64 Гбайт
| Памяти много не бывает. Corsair представила модули оперативной памяти DDR5 объемом 24 и 48 ГБ | Плата расширения с 512 ГБ оперативной памяти, имеющей пропускную способность до 1,1 ТБ/с, призвана существенно повысить производительность. |
| Создана масштабируемая квантовая память, которая живет больше 2 секунд | По данным пресс-службы ЛЭТИ, ее можно использовать для конструирования оперативной памяти оптических вычислительных устройств. |
| "Китайсикий кацсества - оцсень-ня, оцсень-ня холосый кацсества"(С) дядюшка Ляо, однако... | Новый модуль способен обеспечить скорость обработки до 8.5 гигабит в секунду. При этом отмечается, что он потребляет на 20% меньше энергии в сравнении с памятью LPDDR5. |
| Представлен полностью китайский модуль памяти DDR4 — Talks — Форум | DDR5 XMM CXL стал первым в портфолио SMART Modular Technologies модулем памяти стандарта CXL. |
| Небинарная DDR5 в комплектах 48 и 96 ГБ: как работает такая оперативная память? | — Для решения этой проблемы недавно RRAM начали комбинировать с жидкокристаллическими светодиодами, получая так называемую светоизлучающую память (LEM). |
Разработан новый формат модулей памяти DDR4
Модули памяти нового формата были представлены всего через пять месяцев после того, как компания заявила о старте массового производства памяти LPDDR4X объемом 12 Гб. Инновационная микросхема состоит из массива модулей памяти, каждый из которых имеет размер 15 мкм в длину и 0,7 мкм в ширину, что сопоставимо с размером эритроцита. Новый модуль памяти DDR5-7200 работает при напряжении всего в 1,1 В, тогда как для DDR4 стандартное напряжение — 1,2 В. Сегодня, 25 марта 2021 года, южнокорейский технологический гигант в лице компании Samsung представил наконец свою новую разработку — модули своей оперативной памяти нового. В рамках мероприятия Intel Memory and Storage Day крупнейший чипмейкер планеты показал рабочую станцию на основе процессора Xeon Cascade Lake и фирменной памяти Optane DC. Массовое производство потребительских модулей памяти DDR5 стартует в ближайшее время.
Samsung обещает память на 128 ГБ: скоро ли конец DDR4?
Китайский производитель оперативной памяти Jiahe Jinwei одним из первых получит поставки чипов DDR5 от Micron для выпуска потребительской продукции (планок памяти). Это высокопроизводительный и энергоэффективный модуль памяти типа DDR4 SDRAM для ответственных высокоскоростных применений. Память SO-DIMM в конечном счете будет вытеснена модулями нового типа CAMM2. Дебютным продуктом стала линейка высокопроизводительных модулей оперативной памяти DDR1. Данную разработку ASUS вела не в одиночестве, к ней присоединились такие гиганты производства памяти, как и Zadak, которые уже представили первые модули.
Газета «Суть времени»
- Свежие материалы
- Подписка на дайджест
- Оперативная память ⭐ новости, стандарты, технологии на
- Samsung разработала первый в мире модуль памяти DDR5 на 512 ГБ. Почему это круто?